2026年AI服务器电源：高压直流、宽禁带器件与供应链变化

进入2026年，AI机柜的整体功率持续上升，传统的低压供电架构在效率和成本上都面临压力。业界正在转向高压直流（HVDC）供电，特别是800V架构。与此同时，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体器件，成为提升电源功率密度和效率的关键。SiC上游产能的阶段性过剩，反而压低了器件成本，在加速技术普及的同时，也在改变电源供应链的竞争格局。

功率与架构：迈向高压直流

AI算力需求的增长直接体现在机柜功耗上。英伟达NVL72级液冷机柜（GB200/GB300）重约1.36吨，功率约120千瓦。业界预计，下一代Vera Rubin机柜的功耗还将进一步上升。在这样的背景下，传统48V或54V低压大电流供电所带来的传输损耗和线缆成本，已逐渐难以承受。

为了应对兆瓦级计算机柜的供电挑战，英伟达正与生态伙伴共同推进800V直流供电架构。高压直流能降低传输电流，从而减少线缆截面、铜材用量和能量损耗。机构数据显示，全球数据中心电源市场规模2024年约为141亿美元，预计到2032年达到约264.5亿美元。

宽禁带器件：电源功率密度新高

SiC和GaN器件因耐高压、耐高温和高速开关特性，正成为AI服务器电源设计的核心，能够提升开关频率和效率，实现更高的功率密度和更小的体积。

意法半导体展示了一款基于GaN的LLC功率变换器开发原型：从800V输入、以1MHz开关频率运行，尺寸相当于一部智能手机，可持续输出12千瓦，效率超过98%，在50V输出时功率密度超过2600W/in³。需要说明的是，这是开发原型，尚未量产。

德州仪器2026年公布了800V至6V的直流/直流转换器，集成GaN功率级，峰值效率可达97.6%。在产品层面，台达已推出1OU 33千瓦电源架，效率最高97.5%，配备3千瓦或5.5千瓦的热插拔电源模块。

供应链：SiC成本下降与市场格局

据媒体报道，SiC上游晶体环节的产能利用率一度降至约50%，下游器件环节约70%。产能过剩对部分制造商带来压力，但也推动了SiC器件的成本下降，加速其在电源等领域的应用。中国厂商的SiC衬底有效产能已达到约201.6万片，占全球总产能的一半以上。

在AI电源供应领域，麦格米特与英伟达的合作，主要在于将其电源解决方案与NVIDIA MGX平台和GB200系统相结合。据媒体报道，麦格米特是英伟达指定的中国大陆唯一AI电源供应商，全球入围者仅三家，包括台湾的台达、光宝以及大陆的麦格米特。SiC器件成本下降降低了高性能电源的门槛，但能否获得头部算力平台的认可，仍是电源厂商之间的分水岭。

结论

2026年下半年，值得观察的是三件事：800V高压直流机柜的实际交付进展；碳化硅器件的价格走势及其对电源成本的影响；各电源厂商在支持800V与液冷的新一代平台上的份额变化。

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