AI机柜Power-Shelf：核心变量 2026

AI机柜Power-Shelf/核心变量/2026 m8观点：2026年，AI机柜的电源架（Power Shelf）正从单纯的交直流转换节点，发生向“集成分布式储能的动态电网缓冲器”与“800V高压直流（HVDC）配电枢纽”的本质跃迁。随着 NVIDIA GB300 NVL72 架构落地，单机柜电气峰值功耗（EDPp）飙升至 155kW 以上，传统 48V/54V 架构的物理载流与线损天花板已被较大程度击穿。以电容储能主导的功率平滑技术与 800V 高压直流总线，正成为决定超大规模 AI产业链 算力集群能否成功部署的核心变量与核心胜负手。

m8观点：一句话先说结论

机架级电源架构的升维已不再是算力系统的附属工程，其功率平滑能力与 800V 直流下发方案，将直接主导 2026 年高密度数据中心的基础设施重建与算力释放上限。

为什么这个变量在 2026 年重要

在探讨现代高密度数据中心的物理边界时，供电网络的极限瓶颈已变得与 液冷专题 所揭示的热力学瓶颈同样严峻。2026 年，Power Shelf 之所以从一个标准化的机房子系统跃升为决定算力释放的核心变量，其底层逻辑源于电气工程与算力协同运行模式的根本性冲突。这种冲突集中体现在三个维度的极端挑战上。

首先是热设计功耗（TDP）与电气设计峰值功耗（EDPp）之间日益扩大的剪刀差。在传统云计算时代，服务器的功耗波动相对平缓。然而，以 NVIDIA GB300 NVL72 为代表的机架级系统，其标称系统功耗（TDP）约为 132kW 至 135kW，但在处理极其复杂的大模型推理或同步训练任务的瞬态跃迁时，其电气峰值功耗（EDPp）可瞬间飙升至 155kW 甚至更高。这种高达 20kW 以上的瞬态脉冲对于末端微电网构成了极大的破坏性。为了应对这种峰值，数据中心通常需要将母线通道冗余配置至 192kW EDPp。这意味着如果仅按传统逻辑设计，数据中心将出现巨量的电力资产闲置，整体 PUE（电能使用效率）与资本开支效率将大幅恶化。

其次，是 AI 工作负载同步性引发的“动态负载反射”（Dynamic Load Reflections）对电网的冲击。AI 集群中的成千上万张 GPU 在执行分布式训练（如 All-Reduce 通信阶段）时，表现出惊人的步调一致性。负载从 20% 瞬间跃升至 100%（阶跃负载），或者在任务结束时突然宕落，会引起电网电压的剧烈波动，甚至触发变电站的保护性跳闸。为了解决这一问题，2026 年周期的 Power Shelf 引入了革命性的功率平滑（Power Smoothing）功能。通过在电源架内部（或专用的 Power Capacitance Shelf, PCS 储能架）集成大容量电解电容与锂离子电容，每个 GPU 获得了约 65 焦耳的能量储备池。这些电容在低负载时吸收冗余电能，在峰值脉冲时瞬间释放，成功将对前端交流电网的瞬态峰值需求削减了近 30%，将锯齿状的非线性电流转化为电网可承受的平滑曲线。

最后，是传统 48V/54V 架构遭遇的欧姆定律困境与 800V 高压直流（HVDC）的可能演进。在 OCP 联盟现有的 ORv3 架构下，若要在 50V 电压下传输 150kW 的功率，机柜背板铜排的载流需求将高达 3000A。根据焦耳定律（P=I 2 R），电流的平方级增长会导致极其严重的铜排发热（线损）与空间挤占。当单机柜功率迈向 200kW 乃至兆瓦级（MW）的 AI 工厂时，54V 架构的物理尺寸与热量耗散已不可持续。因此，引入 800V DC 架构成为唯一破局之道。将机柜输入电压从交流 415V/480V 或直流 50V 提升至 800V DC，不仅能使同一规格导线的传输能力提升 85%，减少 45% 的铜材使用，还能较大程度剔除数据中心 UPS 与 PDU 的多级交直流转换损耗，将端到端供电效率从传统的 83% 跃升至 92% 以上。这构成了 2026 年电源架构演进的最强底层推力。

产业链和公司映射

通过对公开工程规范、硬件白皮书及供应商披露信息的交叉比对，围绕 2026 年高密度 AI 机柜 Power Shelf 的产业链可拆解为四大核心环节：系统集成与整机制造、盲插总线与大电流连接器、宽禁带功率半导体，以及测试与合规体系。这为全球电子制造与 A股 相关的高端精密零组件研究提供了明确的产业坐标与技术对标基准。

在系统集成与整机制造（Power Shelf & PSU）环节，行业正围绕极高效率与极限储能展开激烈角逐。台达电子（Delta Electronics）在 800V HVDC 架构中展现了先发统治力。其公开发布的 19 英寸 72kW 800V HVDC 电源架集成了两组 36kW 的高压直流电源模块，峰值转换效率达到行业顶尖的 98%，直接满足下一代 AI 数据中心的高压配电需求。此外，台达针对 GPU 动态负载反射推出了创新的电容储能架（PCS），利用锂离子电容（LIC）的高功率密度特性，实现 15秒/20kW 的长效保持时间，极大提升了供电系统的瞬态响应与可靠性。与此同时，光宝科技（LITEON）在 NVIDIA GB200 及 GB300 NVL72 的定制电源领域占据核心身位。针对 GB300 显著增加的动态功耗，LITEON 开发了 3RU 110kW 电源架，采用三相交流输入，并大幅增加了电源模块内部的大型电解电容体积，电容组件甚至占据了电源内部近一半的物理空间，专门用于平抑 20% 至 100% 负载阶跃带来的冲击。Vertiv 与伟创力（Flex）同样在 50V 架构的明显压榨上推出重磅产品。Vertiv 的 PowerDirect 3000 系统在 1U 空间内集成了 6 个热插拔的 5.5kW PSU，提供高达 112A 的电流输出，并内置 150J 能量储备以实现 20ms 的满载保持时间，直接位列 NVIDIA 推荐供应商名单。伟创力发布的 33kW 方案则采用 3+3 冗余配置，半载峰值效率达 97.5%，并公开宣告正为全尺寸 800V DC 数据中心组件进行量产准备，以配合未来的 NVIDIA Kyber 兆瓦级机架扩容。此外，伊顿（Eaton）作为 OCP 核心成员，提供了高度标准化的 ORv3 44OU 及 39OU 开放机架参考设计，同时也在全面推进其 800V DC 基础设施的商业化落地。超微（Supermicro）则在系统层面将电源管理与直接液冷技术（DLC）深度结合，其 GB300 方案通过 In-Rack CDU 实现最高 250kW 的散热能力，宣称可降低数据中心高达 40% 的电力成本。

在盲插总线与大电流连接器（Busbar & Connectors）环节，机柜内部的电能高速公路正在重构。贸联（BizLink）作为大电流汇流排领域的风向标，其 BzLisa S 系列连接器完全遵循 ORv3 规范，针对 NVL72 架构提供了载流高达 1400A 的 48V/54V 机架铜排。为了解决 800V 高压带来的发热与绝缘问题，BizLink 正与 NVIDIA 深度协作，开发液冷铜排（Liquid cooling busbar）与 800V DC 专用线束，以支撑下一代兆瓦级 AI 基础设施。在互连端子方面，泰科电子（TE Connectivity）的 BB1000 系列双极连接器支持每极 500A（总计 1000A）的极限输出，并在面向 IT Gear（服务器节点）的输入连接器上进行了革命性升级。TE 的 ORv3 IT Gear 方案不仅支持 150A 以上电流和极低的 0.55mΩ 接触电阻，还集成了复杂的时序保护机制——专用的机箱接地触点（Chassis ground contacts）采用先进后出设计，能在 2 分钟内承受两倍额定电流；而传感触点（Sense Contact）则采用后进先出设计，加上高达 ±3.0mm 的水平浮动与 6.4mm 的侧向收容度，确保了高压盲插作业的绝对电气安全。

在宽禁带功率半导体与底层转换拓扑（Power Semiconductors & Topology）环节，800V 高压降维技术构成了最大的工程门槛。在 800V 直流架构中，传统的降压电路无法直接工作，必须采用具备 64:1 极端匝数比的 LLC 谐振转换器（LLC Resonant Converter）。纳微半导体（Navitas）等企业推出了针对 800V AI 数据中心的 GaNSafe IC 系列半导体（如 NV6511、NV6034等型号），利用零电压开关（ZVS）与零电流开关（ZCS）软开关特性，在高达 1MHz 的高频开关状态下，不仅消除了硬开关带来的电弧与巨量热耗散，还将 800V 直流极高效率地降压至 50V 或 12V 供后续 VRM（电压调节模块）使用。这极大减少了磁性元件（变压器和电感）的物理体积，使得高压电源模块能够以“板砖”（Brick）形式高密度嵌入系统。

在测试、老化与合规体系（Testing & Compliance）环节，致茂电子（Chroma）的解决方案成为了产业界标定电源性能的刻度尺。机架电源的迭代离不开极端工况的模拟验证，Chroma 推出的 62000D 系列双向直流电源不仅在 4U 空间内实现了 45kW 的高功率密度，更支持多机并联高达 1.8MW 的海量测试。其独特的 High/Low 双量程无缝切换设计，能够同时满足传统 400V 平台与前沿 800V HVDC 架构的满功率老化测试，甚至可高保真地仿真 BBU 与 PCS 内部电池及超级电容的瞬态充放电特性。

关键数据与对比表

通过对分散在不同白皮书、行业会议和技术规格书中的数据进行交叉梳理，以下表格系统地展示了 AI 机架在跨代演进中的能源规格跃迁，以及底层连接协议与拓扑架构的核心技术指标。

表 1：NVIDIA 机架级系统电源演进与参数核验矩阵

核心工程指标 NVIDIA GB200 NVL72 NVIDIA GB300 NVL72 NVIDIA Kyber (预研架构) 计算节点配置 18 计算托盘 (72 颗 GPU) 18 计算托盘 (72 颗 GPU) 规模扩张至 ~576 颗 GPU 机柜系统标称 TDP ~120 kW

132 kW - 135 kW

600 kW 至 1 MW+

机柜瞬态峰值 EDPp ~140 kW

~155 kW (供电母线按192kW设计)

极高，需通过高压与储能剥离峰值 外围电网供电输入 传统三相交流 AC 输入 传统三相交流 AC 输入 集中式变流 800V DC 直接输入 单电源架配置规格

1RU 高度，集成 6×5.5kW PSU

3RU 高度，集成更高储能及 5.5kW PSU

较大程度移除机柜内初级 AC-DC 模块 机架储能与功率平滑 基础 UPS 防掉电维持

电容储能 ~65J/GPU，削减交流侧 30% 峰值冲击

大容量侧车储能 (Sidecar PCS) 调度 背板总线母排物理状态

50-54V DC，铜排载流达 1400A

50-54V DC，主流铜排工艺达到热物理极限

800V DC 高压分配，铜耗剧烈下降

表 2：ORv3 大电流连接器与背板互连规格（基于 OCP 与供应商公开参数）

连接器/互连类型 供应商/规范标杆 核心技术参数与验证指标 安全性与冗余设计 ORv3 48V Power Output Amphenol / OCP 规范

连续载流 360A (无风) / 500A (45°C, 300LFM风量)；压降限制 14mV@360A

盲插容差 ±3mm 水平，最大插拔力 120N

BzLisa S 铜排连接器 贸联 (BizLink)

额定工作电压 12V-48V DC，最高支持 1400A 母排总成

通过 IEC 61984 与 UL 1977 国际绝缘与载流认证

BB1000 电源端子 泰科电子 (TE)

1000A 总载流容量（每极 500A），双极独立分布

支持焊接线束或螺栓固定柔性母排，极低毫伏压降

ORv3 IT Gear Input 泰科电子 (TE)

150A+ 额定电流，接触电阻 < 0.55mΩ

集成侦测触点(先断)与机箱接地触点(后断，承压2倍电流)

表 3：48V/54V 架构与 800V 高压直流 (HVDC) 宏观物理学对比

架构维度 传统 OCP ORv3 (48V/54V 架构) 新一代 800V 高压直流 (HVDC 架构) 物理定律与工程驱动力 电流强度与热耗散 在 150kW 时电流激增至近 3000A 在 150kW 时电流锐减至约 180A 依据焦耳定律（P=I 2 R），电压抬升15倍使热损耗呈指数级下降 贵金属与材料学 需巨型实心银镀层铜排，后期需配液冷

线缆与母排铜材使用量直接削减 45%

高电压小电流缓解了高频脉冲下的趋肤效应（Skin effect） 电网端到端效率 ~83% (涵盖中压变压器、UPS、PDU转换)

> 92% (移除中继 UPS 环节，级联损耗消除)

采用集中式固态变压器（SST）直接将中压接入数据大厅 算力中心基础设施 每个 IT 机柜内部塞满 AC/DC 整流模块 采用独立 Sidecar（侧车）电源架或集中变流

将机柜内约 35% 的冗余空间重新释放给高密度算力节点

宏观、资金或技术约束

在向 2026 年的高功率储能架与 800V 架构全速演进的过程中，产业端绝非一片坦途，而是正被宏观标准分歧、致命的电气安全风险以及热物理学的零和博弈等多重刚性约束所牵制。

首先是阵营分裂引发的标准化冲突。当前全球 800V 架构正走向水火不容的两极分化。一方是以 NVIDIA 主导的单极 800V（Monopolar 800V）闭环标准，该系统仅由正极（+800V）与回流线构成两线制，完全独立于保护接地运行，旨在为 Rubin Ultra 等极高密度平台提供最纯粹的电力传输。另一方则是由 OCP 联盟（包含 Meta、Google、Microsoft）联合发起的“Diablo 400”开放规范。Diablo 采用的是双极性 ±400V 拓扑（Bipolar ±400V，即基于中性点参考的三线制系统，两端电势差达到 800V）。OCP 阵营如此设计的初衷，是为了直接复用和“白嫖”现有的庞大电动汽车（EV）供应链——包括已经过海量验证的汽车级高压连接器、接触器与继电器，从而大幅压低 AI 算力的基础设施成本。这种单极与双极拓扑在根本上的不兼容，意味着供应商在短期内难以实现跨阵营的规模化产品复用，推高了产业链初期的研发摊销与沉没成本。

其次是致命的直流电弧危险与滞后的消防规范。交流电（AC）由于在工频下每秒有 100 次过零点（Zero-crossing），使得意外产生的电弧较易自然熄灭。而直流电（DC）始终保持在恒定高压，不存在过零点。当在背板铜排上盲插带有 800V 高压且满载数百安培电流的计算模块时，一旦接触不良或插拔速度不当，极易产生持续不断的高能直流电弧（DC Arc Flash）。这种电弧不仅会瞬间熔毁造价昂贵的 BizLink 或 TE 连接器，更会引发灾难性的火灾与人员伤亡。目前的困境在于，全球数据中心的消防与电气标准（如 NFPA 70E）严重滞后于 AI 技术发展，在直流电弧模型构建、短路电流极限评估以及直流断路器（Breaker）性能验证方面存在大片盲区。标准的缺失意味着兆瓦级 800V 数据中心在获取电网并网许可与当地消防验收时，面临着不可预知的监管壁垒。

最后是空间体积与极限散热的零和博弈。引入功率平滑技术需要集成庞大的电容阵列，但这与数据中心追求明显高密度的诉求背道而驰。在 LITEON 等厂商为满足 GB300 削峰需求而设计的 Power Shelf 中，巨型的电解电容阵列占据了电源模块内部近一半的物理空间，导致电源架体积从传统的 1RU 直接膨胀至 3RU。这种空间挤占对算力密度是极大的浪费。此外，即便 800V 架构大幅降低了整体电流，但在运用高频第三代半导体进行 LLC 降压转换时（开关频率达 1MHz），变压器的漏感控制及趋肤效应/邻近效应（需使用高成本利兹线）极具挑战。局部的高频高压导致热流密度飙升，不仅 800V 的变压器模组需要水冷，甚至内部的 DC 高压铜排本身都需要进入直接液冷（Liquid-cooled busbar）或浸没式的设计范畴。这种混合电与液体的超高密度集成，成倍推高了漏液导致高压短路的系统性风险隐患。

风险与证伪

作为产业研究者，需要警惕任何单线外推的技术路线。对 2026 年 Power Shelf 演进逻辑的证伪，可从以下三个横向维度进行压力测试：

第一，电网端宏观设施重构对“机柜内微储能”需求的降维打击。 目前由电源架承担的功率平滑（Power Smoothing）及机架内置 BBU/PCS 储能电容，本质上是对前端交流电网“脆弱性”和响应延迟的无奈妥协。如果超大规模云计算巨头（Hyperscalers）改变策略，直接在数据中心园区级别建立超大容量的飞轮储能或集中式超级电容变电站（即电网级微电网重构），并在变电站一侧实现毫秒级的极速瞬态响应，那么将沉重的储能单元化整为零塞入寸土寸金的 IT 算力机架内，就会显得极不具备经济性，相关分布式电容电源的逻辑将被证伪。

第二，底层芯片互连与封装技术（如CPO）的突变导致功耗触顶。 当前 AI 机柜功耗明显上涨的一个核心推手是铜缆传输与长距离互连导致的巨量电能散失。如果硅光子技术（Silicon Photonics）、光电共封装（CPO）、全光交换网络以及新型低功耗 HBM 显存在 2026-2027 年实现超预期的量产突破，将单节点 TDP 的增速强行拉平甚至逆转向下，那么市场对推行 800V 极端高压供电的迫切性就会大幅衰退。行业可能转而通过优化现有的 54V 系统配以先进的高效液冷，即可平稳度过未来的算力扩张周期。

第三，第三代宽禁带半导体（GaN/SiC）供应链的良率“黑天鹅”。 800V 直流向 50V 或 12V 降压的成败，完全系于高频低损耗的碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）开关器件。如果这些先进功率半导体在大尺寸晶圆上的良率迟迟无法满足 AI 数据中心级别的苛刻可靠性要求（数据中心电源 MTBF 需求通常按百万小时计），或者出现类似于新能源汽车爆发早期的 SiC 产能疯狂挤兑，底层元器件断供将迫使超算中心无限期推迟采用 HVDC 架构，产业链只能继续受困于庞大的传统多级交流配电网络。

后续观察变量

在 研究归档 与跟踪 2026 年电源架构演进的过程中，为了在未来的季度财报、行业峰会和标准草案中寻找前瞻验证指标，应将观测雷达锁定以下边际变化：

UL、IEC 及 NFPA 关于高压直流（HVDC）连接器的消防及认证落地节点： 重点追踪具有“先接后断”地线保护及“后接先断”信号侦测逻辑的 ORv3 高压增补标准，以及 800V 盲插组件何时获得规模化安规许可。该标准冻结的时间窗，直接决定了 BizLink、TE 等连接器龙头企业的积压订单何时能转化为报表上的真实营收。

集中式固态变压器（SST, Solid-State Transformer）的商用化采购规模： 固态变压器是实现数据中心全链路 800V 架构的源头设备。观察中压交流（13.8kV 或 34.5kV）直接转 800V 直流的大功率 SST 是否开始频繁出现在头部代工厂或云服务商的基础设施招标名录中，是研判高压渗透率的最关键先行指标。

传统电源整机巨头的资本开支（Capex）流向： 密切研读台达电子、光宝科技、伟创力等企业在固定资产投资上的边际变化。若发现其正大规模锁定高压电容组件、锂离子电容（LIC）长协订单或大举注资碳化硅/氮化镓外延片产能，这表明产业链已进入高压及功率平滑方案的实质性备货期。

OCP 峰会与 NVIDIA 算力路线图的交锋动态： 在每年的 OCP Global Summit（如伊顿等巨头展示的 Mt. Diablo 方案）上，追踪开放双极 ±400V 阵营的普及度能否在规模效应上逼迫 NVIDIA 单极 800V 阵营走向妥协与融合。这两股技术路线的博弈结果，将直接决定 2027 年后全球 AI 电源生态是走向碎片化的割裂，还是实现真正的大一统。

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FAQ

Q1：为何 AI 算力机柜的峰值功耗（EDPp）会远高于其标称的系统功耗（TDP）？ A：AI 深度学习工作负载（特别是大语言模型在多 GPU 并行训练时的 All-Reduce 聚合通信阶段）具有极强的爆发性与非均匀性。当数万颗 GPU 核心在同一个毫秒级时间窗内被系统统一调度，瞬间全功率激活 Tensor Core 并以最大带宽调用 HBM 显存时，整体电流需求呈现近乎垂直的阶跃式攀升。这种瞬间吸取的能量脉冲被称为电气设计峰值功耗（EDPp），它通常会超出平稳运行状态下 TDP 的 20% 甚至更高。

Q2：新增的“功率平滑（Power Smoothing）”技术究竟在电源架内是如何运作的？ A：可以将电源架内的功率平滑系统理解为一个高灵敏度的蓄水池。通过在 Power Shelf 或专用电容架内大量集成锂离子电容或电解大电容（如每个 GPU 分配约 65 焦耳的缓冲能量），当 GPU 处于算力闲置或等待数据加载的低耗状态时，电容默默充电吸收交流电网下发的冗余电力；而当 GPU 集体“咆哮”榨取极高瞬态电流时，电容瞬间超大功率放电以“填平”这个需求缺口。这种内部缓冲机制使得机柜对外抽取的交流电网曲线变得平缓，大幅削减了约 30% 的峰谷落差，有效保护了外部变电站免受冲击。

Q3：从 54V 直流向 800V DC 跃迁，为何能显著提升整个数据中心的 PUE 表现？ A：在传统的交流配电链路中，市电进入数据中心后，需要经过变压器降压、进入大型 UPS（交流转直流再转回交流以备用）、分配到各列 PDU 机柜、进入电源架内的 PSU（交流再次整流为 54V 直流），最后进入主板。每一次“交-直-交”的转换都在散发废热。而 800V 高压直流（HVDC）架构允许在机房外部的集中式固态变压器处一次性转换为 800V 直流，随后沿着极低线损的高压铜排直送各个 IT 机柜，较大程度移除了占地巨大的中间 UPS 以及机柜 PSU 内置的功率因数校正（PFC）重重损耗，使得电能从入站到服务器的端到端传输效率从传统的约 83% 跃升至 92% 以上。

Q4：直接液冷技术（DLC）的普及，是否意味着风冷电源架即将被淘汰？ A：短期内不会，目前业界处于风液混合冷却（Hybrid Cooling）的过渡期。以目前的 GB300 等系统为例，尽管 CPU、GPU 以及 HBM 等核心发热源高达 90% 的热量被 CDU 水冷板及冷却液带走，但机架前端的电源分布板（PDB）、辅助交换机及部分常规电源模块由于空间与成本限制，依然保留着风冷设计。然而长远来看，随着 800V 架构带来变压器件与配电排局部功率密度的极端飙升，未来的高压母线和高频 DC-DC 转换模块正被迫逐步引入与直接冷板接触冷却或全浸没式方案，完全无风扇的纯液冷电源架构已在头部实验室进行预研验证。

常见问题

为何 AI 算力机柜的峰值功耗（EDPp）会远高于其标称的系统功耗（TDP）？

AI 深度学习工作负载（特别是大语言模型在多 GPU 并行训练时的 All-Reduce 聚合通信阶段）具有极强的爆发性与非均匀性。当数万颗 GPU 核心在同一个毫秒级时间窗内被系统统一调度，瞬间全功率激活 Tensor Core 并以最大带宽调用 HBM 显存时，整体电流需求呈现近乎垂直的阶跃式攀升。这种瞬间吸取的能量脉冲被称为电气设计峰值功耗（EDPp），它通常会超出平稳运行状态下 TDP 的 20% 甚至更高。

新增的“功率平滑（Power Smoothing）”技术究竟在电源架内是如何运作的？

可以将电源架内的功率平滑系统理解为一个高灵敏度的蓄水池。通过在 Power Shelf 或专用电容架内大量集成锂离子电容或电解大电容（如每个 GPU 分配约 65 焦耳的缓冲能量），当 GPU 处于算力闲置或等待数据加载的低耗状态时，电容默默充电吸收交流电网下发的冗余电力；而当 GPU 集体“咆哮”榨取极高瞬态电流时，电容瞬间超大功率放电以“填平”这个需求缺口。这种内部缓冲机制使得机柜对外抽取的交流电网曲线变得平缓，大幅削减了约 30% 的峰谷落差，有效保护了外部变电站免受冲击。

从 54V 直流向 800V DC 跃迁，为何能显著提升整个数据中心的 PUE 表现？

在传统的交流配电链路中，市电进入数据中心后，需要经过变压器降压、进入大型 UPS（交流转直流再转回交流以备用）、分配到各列 PDU 机柜、进入电源架内的 PSU（交流再次整流为 54V 直流），最后进入主板。每一次“交-直-交”的转换都在散发废热。而 800V 高压直流（HVDC）架构允许在机房外部的集中式固态变压器处一次性转换为 800V 直流，随后沿着极低线损的高压铜排直送各个 IT 机柜，较大程度移除了占地巨大的中间 UPS 以及机柜 PSU 内置的功率因数校正（PFC）重重损耗，使得电能从入站到服务器的端到端传输效率从传统的约 83% 跃升至 92…

直接液冷技术（DLC）的普及，是否意味着风冷电源架即将被淘汰？

短期内不会，目前业界处于风液混合冷却（Hybrid Cooling）的过渡期。以目前的 GB300 等系统为例，尽管 CPU、GPU 以及 HBM 等核心发热源高达 90% 的热量被 CDU 水冷板及冷却液带走，但机架前端的电源分布板（PDB）、辅助交换机及部分常规电源模块由于空间与成本限制，依然保留着风冷设计。然而长远来看，随着 800V 架构带来变压器件与配电排局部功率密度的极端飙升，未来的高压母线和高频 DC-DC 转换模块正被迫逐步引入与直接冷板接触冷却或全浸没式方案，完全无风扇的纯液冷电源架构已在头部实验室进行预研验证。